Botti di Capodanno

[Raban]

Aggiornamento sulle prove di ieri sera .
I test sono stati condotti alimentando il tutto a 24 volt per testare le commutazioni dei mos .
Sembra che tutto funzioni correttamente pero' il dead time risulta un po' basso , circa 100 nano secondi
rispetto ai 400 impostati sui driver , la cosa probabilmente e' dovuta alle capacita' in gioco ( 3 mos per ramo al posto di un solo igbt ) ed alle protezioni sui gate ( transil a 15 V) che contribuiscono ad aumentare la capacita' totale sui gate .
Questo problema non c'era nelle precedenti versioni della primary , perche' il dead time era stato impostato piu' alto .
In questa versione invece era stato abbassato confidando sulla maggiore velocita' dei mos.
Per evitare casini stasera McMax aumentera' il deadtime (sono un paio di resistenzine da cambiare) e poi procedera' al test a 310 v .

[ALMOR]

AVANTI COI CARRIIII!!!

[McMax]

Giusto qualche foto per farvi vedere cosa ho misurato ieri:
Il carico era una resistenza da 0.1ohm ca. a filo avvolto immersa in acqua
L'alimentazione del ponte è stata presa da un alimentatore a ca 25V.
In ogni foto trovate il commento con la scala della griglia oscilloscopio usata per la misura.

MCRABAN (LA REGINA DELLE TENEBRE) test.jpg

Load.jpg

High and low side gates.jpg

dead time.jpg

Transformer primary 100DC.jpg

transformer primary.jpg

Transformer secondary.jpg

load - 0.1ohm.jpg

Current_sensor.jpg

current sensor 2.jpg

[Raban]

casso se siamo giusti col dead time ... quasi commuti in corto ...

[McMax]

Te l'avevo detto....

[onorino]

già ho visto qualcosa di simile sul museo dedicato al 20º secolo sull'Enterprise , mi pare fosse il progetto Manhattan .

[simo.borgo]

Bravi ragazzi, siete forti!!!

[ALMOR]

vaiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiii!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!

[McMax]

BOTTO !!!! E non c'ho manco la foto !!! Zio tassidermista !

[Raban]

pare si siano fumati i driver irs21844 , ma non si capisce il motivo visto che a bassa tensione andava tutto, sto giro i mos sembrano a posto ...

[ALMOR]

NOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO !!!!!!!

[McMax]

Gate driver riparata e fatte altre prove a bassa tensione per verificare il dead time.
Ho eliminato i transil di protezione lasciandone solo uno per ramo (prima ce n'era uno per ogni MosFET) in quanto la capacità parassita introdotta per ogni ramo era notevole; misurata su scheda era compresa tra i 6 e 7 nF al netto di quella dei MosFET. Con un solo Transil per ramo siamo scesi a ca 2nF che è decisamente più accettabile.
Come si vede dalle 2 foto qui di seguito il deadtime ora è apprezzabile e le forme d'onda di commutazione risultano più pulite:

IMG_0224.JPG

IMG_0223.JPG

Come mi ha fatto notare Raban resta una criticità sulla corrente che chiediamo al driver visto che abbiamo 3 RGATE da 10ohm per una R risultante di 3,3ohm che su 14V di alimentazione genera una inrush di 4,2A che è ben oltre la specifica del driver.
Proverò a montare RGATE da 22ohm in modo da stare a specifica e vediamo cosa succede con le commutazioni..... se sono accettabili lasciamo così altrimenti dobbiamo lavorare sui Mos oppure cambiare i driver.

[Leviathan]

Ragazzi non capisco un'H di ciò che state facendo, ma i miei più vivi complimenti per la portata del progetto e la tenacia che dimostrate!!!!
Non mollate, la vogliamo vedere finita e funzionante!!!!!!

[Raban]

Vai tranquillo Levithan non molliamo ! Oramai le stiamo provando tutte e ci stiamo facendo una cultura
su commutazione ad alta potenza .
Risolta questa primary , poi sara' una bazzecola sfornare anche driver per motori dc , passo passo e brushless con correnti di qualche decina di amper

[Raban]

Max le due foto che hai postato si riferiscono alla commutazione di 3 mos per ramo ?
Io andrei ancora piu' su col dead time per stare tranquilli , poi se vediamo che non riusciamo a tirare
abbastanza potenza ( cosa che dubito fortemente ) casomai lo abbassiamo .
Col trasformatore originale, quindi con piu' spire, ce la facevamo ampiamente a tirare la corrente
necessaria , ora che abbiamo abbassato la tensione di uscite non dovrebbero esserci problemi anche con un dead time alto .
Eventualmente fai una prova per vedere come cambia la forma d'onda commutando 1 , 2 o 3 mos per ramo .
Sarebbe anche da provare se uno zener al posto del transil ha una capacita' piu' bassa ( anche se ha un tempo d'intervento superiore).
Io cosa faccio monto i mos e provo pure io o aspetto ? Ho verificato le mie due schede (quelle col rame da 1.5mm) e non dovrebbero esserci problemi di isolamento anche se uso quelle .
Se le devo montare monto i mos da 35 A 500 v o quelli superveloci da 22A 600 v ?